TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 650 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 20 µA @ 650 V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C(Max)
Numero di prodotto di base: TRS4E65