GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Produttore: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 600 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 5 µA @ 600 V
Capacità @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-46
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C~225°C
Numero di prodotto di base: GB02SHT06