G3S12010C Global Power Technology-GPT Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Produttore: Global Power Technology-GPT
Serie: -
Pacchetto: Cut Tape (CT); Tape & Box (TB)
Stato del prodotto: Active
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 1200 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 33.2A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Capacità @ Vr, F: 765pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C~175°C