TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Diodi - Raddrizzatori - Array

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Configurazione del diodo: 1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 650 V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo): 6A (DC)
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 30 µA @ 650 V
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Numero di prodotto di base: TRS12N65