2N5116 Solid State Inc. Transistor - JFET

Produttore: Solid State Inc.
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tensione - Guasto (V(BR)GSS): 30 V
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 mV
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 25pF @ 15V
Resistenza - RDS(On): 150 Ohms
Potenza - Max: 500 mW
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18