UJ3N120070K3S UnitedSiC Transistor - JFET

Produttore: UnitedSiC
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tensione - Guasto (V(BR)GSS): 1200 V
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Consumo di corrente (Id) - Max: 33.5 A
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 985pF @ 100V
Resistenza - RDS(On): 90 mOhms
Potenza - Max: 254 W
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Numero di prodotto di base: UJ3N120070