HGT1S10N120BNST onsemi Transistor - IGBT - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: NPT
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1200 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35 A
Corrente - Collettore pulsato (Icm): 80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max: 298 W
Commutazione dell'energia: 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input: Standard
Costo del biglietto d'ingresso: 100 nC
Td (acceso/spento) a 25°C: 23ns/165ns
Condizione di prova: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263)
Numero di prodotto di base: HGT1S10