VS-40MT120PHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistor - IGBT - Moduli

Produttore: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configurazione: Half Bridge
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1200 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75 A
Potenza - Max: 305 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 40A
Corrente - Taglio del collettore (max): 50 µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Ingresso: Standard
Termistore NTC: No
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Confezione / Custodia: 12-MTP Module
Pacchetto dispositivo fornitore: 12-MTP