NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi Transistor - IGBT - Moduli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tray
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configurazione: Three Level Inverter
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1000 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 303 A
Potenza - Max: 276 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
Corrente - Taglio del collettore (max): 1 mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
Ingresso: Standard
Termistore NTC: Yes
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Numero di prodotto di base: NXH350