DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Transistor - IGBT - Moduli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: -
Configurazione: Single
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1200 V
Potenza - Max: 1040 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio del collettore (max): 5 mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Ingresso: Standard
Termistore NTC: No
Temperatura di esercizio: -40°C~125°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module
Numero di prodotto di base: DF200R12