FD200R12KE3PHOSA1 Infineon Technologies Transistor - IGBT - Moduli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: C
Pacchetto: Tray
Stato del prodotto: Active
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Configurazione: Single
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 1200 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio del collettore (max): 5 mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Ingresso: Standard
Termistore NTC: No
Temperatura di esercizio: -40°C~125°C
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Confezione / Custodia: Module
Pacchetto dispositivo fornitore: Module
Numero di prodotto di base: FD200R12