Produttore: onsemi
Serie: SuperFET® II
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK
Confezione / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base: FCU2250
