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SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

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descrizione delle tue esigenze

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 26A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 115W
Temperatura di esercizio: 175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-4L
Confezione / Custodia: TO-247-4

Datasheet

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