SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 25.3A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 6W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base: SI4143