SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 45 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8S
Confezione / Custodia: PowerPAK® 1212-8S
Numero di prodotto di base: SISS50