NVBG045N065SC1 onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 62A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 242W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-7
Confezione / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA