IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS??5
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 47A (Tj)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TDSON-8-33
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN