IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 31A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 117W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: IPW60R099