RFP10N15L Harris Corporation Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Harris Corporation
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5A, 5V
Vgs (Max): ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Confezione / Custodia: TO-220-3