EPC2035 EPC Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: EPC
Serie: eGaN®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.7A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): -
Temperatura di esercizio: -40°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: Die
Confezione / Custodia: Die
Numero di prodotto di base: EPC20