SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.2A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: SI2301