PSMN0R9-30YLDX Nexperia USA Inc. Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 300A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 291W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56; Power-SO8
Confezione / Custodia: SOT-1023, 4-LFPAK
Numero di prodotto di base: PSMN0R9