FDN359AN onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: PowerTrench®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.7A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: FDN359