TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 9.4A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Temperatura di esercizio: 150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base: TPN3300