UF3C120080B7S UnitedSiC Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: UnitedSiC
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-7
Confezione / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base: UF3C120080