NTMTSC002N10MCTXG onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base: NTMTSC002