FQT2P25TF onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: QFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Last Time Buy
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 550mA (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4
Confezione / Custodia: TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base: FQT2P25