SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP
Confezione / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numero di prodotto di base: SI3483