Produttore: Microchip Technology
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 7A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 2.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 100µA (Typ)
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 184 pF @ 1360 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: MSC750
