TPH3206PD Transphorm Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Transphorm
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 17A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB
Confezione / Custodia: TO-220-3
Numero di prodotto di base: TPH3206