SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 13.5A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TCSPAC-153001
Confezione / Custodia: 10-SMD, No Lead