SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SC-75-6
Confezione / Custodia: PowerPAK® SC-75-6