SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.2A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 236mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89 (SOT-563F)
Confezione / Custodia: SOT-563, SOT-666
Numero di prodotto di base: SI1070