TP65H480G4JSG-TR Transphorm Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Transphorm
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 3.6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 500µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 13.2W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PQFN (5x6)
Confezione / Custodia: 3-SMD, Flat Lead
Numero di prodotto di base: TP65H480