PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 1.4A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3
Confezione / Custodia: 3-XFDFN
Numero di prodotto di base: PMZB200