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IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies Transistor - FET MOSFET - Singoli

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Produttore: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CFD7
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 329W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-HDSOP-10-1
Confezione / Custodia: 10-PowerSOP Module
Numero di prodotto di base: IPDD60

Datasheet

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