G06N06S Goford Semiconductor Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Goford Semiconductor
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (max): 2.1W
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Confezione / Custodia: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)