IXFH90N65X3 IXYS Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X3
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 90A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 (IXFH)
Confezione / Custodia: TO-247-3
Numero di prodotto di base: IXFH90