TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 58A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc)
Temperatura di esercizio: 175°C
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Confezione / Custodia: TO-247-3