NP80N055PDG-E1B-AY Renesas Electronics America Inc Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura di esercizio: 175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263
Confezione / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB