UJ4SC075011B7S UnitedSiC Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: UnitedSiC
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 750 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 104A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-7
Confezione / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base: UJ4SC075