SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 6A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: SI2333