2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Vishay Siliconix
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 240mA (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base: 2N7002