SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII-H
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 4A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta)
Temperatura di esercizio: 150°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F
Confezione / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads
Numero di prodotto di base: SSM3K376