DMN2065UW-7 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 2.8A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 430mW (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~150°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323
Confezione / Custodia: SC-70, SOT-323
Numero di prodotto di base: DMN2065