NVBG020N120SC1 onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-7
Confezione / Custodia: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numero di prodotto di base: NVBG020