XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 70A
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Caratteristica FET: Standard
Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DSOP Advance
Confezione / Custodia: 8-PowerVDFN