DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 40A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base: DMNH10