FQA36P15 onsemi Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: onsemi
Serie: QFET®
Pacchetto: Tube
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 36A (Tc)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 294W (Tc)
Temperatura di esercizio: -55°C~175°C(TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN
Confezione / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base: FQA36