TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistor - FET MOSFET - Singoli

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Pacchetto: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 10A (Ta)
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Caratteristica FET: -
Dissipazione di potenza (max): 27W (Tc)
Temperatura di esercizio: 175°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+
Confezione / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base: TJ10S04